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我们一直在前进
团队具有极强的SiC功率器件创新设计能力、丰富工艺开发与实践经验.
关于我们
公司简介
西安芯丰泽半导体科技有限公司是一家专注于宽禁带半导体碳化硅(SiC)器件开发和应用的高科技公司，发起人是西安电子科技大学原微电子学院院长张玉明教授。张玉明教授团队自1995年即开始碳化硅(SiC)的相关研究，是国内起步最早的团队之一，多年以来，团队先后研制出国内第一款SBD 、第一款MOSFET、第一款PIN、第一款MPS、第一款3300V MOSFET、第一款10KV MOSFET等等，截止到2024年，团队拥有碳化硅(SiC)发明专利100多项，国内排名第一！
依托团队雄厚的技术实力及产品迭代能力，芯丰泽致力于为客户提供前沿的碳化硅(SiC)器件及最佳应用解决方案。在最新的SiC中试FAB厂，打造从新型芯片结构设计、特色工艺到芯片&模块的全方位产品及服务，为客户提供高价值、差异化、创新型的一体式解决方案，致力于成为碳化硅(SiC)半导体技术全面深入应用的推动者，为中国乃至全球碳化硅(SiC)半导体产业的发展注入新的动力。
迄今为止，公司所产碳化硅(SiC)器件已在特种电源 、航空航天、国家电网、PD快充等行业得到大量实例应用，产品性能、可靠性及团队技术服务能力得到客户的广泛认可。
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2019年
公司成立于
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100+
发明专利
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70%+
研发人员博士占比
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500+
合作客户
发展历程
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2024年
首批6英寸SiC 槽栅MOSFET晶圆下线
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2023年
6英寸SiC MOSFET产品下线
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2022年
6英寸SiC中试线通线
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2021年
中试线设备进场
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2020年
4/6英寸3300V SiC MOSFET代工产品推出
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2018年
4/6英寸SiC SBD、MOSFET代工产品推出
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2017年
设计和研制出10kV SiC IGBT
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2016年
设计和研制出2000V SiC双层基区BJT，电流增益63
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2015年
设计和研制出10kV碳化硅PiN器件
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2013年
设计和研制出国内第一个浮动结SBD
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2012年
设计和研制出国内第一个SiC槽栅MOSFET
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2010年
设计和研制出国内第一个SiC PiN
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2005年
设计和研制出国内第一个SiC埋沟MOSFET
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2002年
设计和研制出国内第一个SiC MPS
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2001年
设计和研制出国内第一个SiC MOSFET
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1999年
设计和研制出国内第一个SiC肖特基二极管
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1995年
上世纪90年代中期张玉明教授率先在国内开展SiC技术的研究工作
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