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碳化硅 (SiC) MOSFET

产品优势

碳化硅(SiC)MOSFET具有高压高温高频的特性、同时兼具低损耗高效率等优势,相比硅基器件,可以显著提高系统的功率密度和性能表现。

型号 规格书 样品
X1M17040GG 1700V 85A 40mΩ 2.6V TO-263-7 工业级 量产
X2M1701000FG 1700V 4.9A 1000mΩ 3.3V TO-263-3 工业级 量产
X2M12013GG 1200V 159A 13mΩ 2.9V TO-263-7 工业级 量产
X2M12020GG 1200V 109A 20mΩ 3.0V TO-263-7 工业级 量产
X2M06523MG 650V 86A 23mΩ 2.9V TOLL-8 工业级 量产
X2M330700WG 3300V 5A 700mΩ 2.3V Bare Die 工业级 量产
X2M330700CG 3300V 5A 700mΩ 2.3V TO-247-4 工业级 量产
X2M17015GG 1700V 152A 15mΩ 2.9V TO-263-7 工业级 量产
X2M17015WG 1700V 152A 15mΩ 2.9V Bare Die 工业级 量产
X2M17015CG 1700V 152A 15mΩ 2.9V TO-247-4 工业级 量产
X2M17015BG 1700V 152A 15mΩ 2.9V TO-247-3 工业级 量产
X2M12013WG 1200V 159A 13mΩ 2.9V Bare Die 工业级 量产
X2M12013CG 1200V 159A 13mΩ 2.9V TO-247-4 工业级 量产
X2M12013BG 1200V 159A 13mΩ 2.9V TO-247-3 工业级 量产
X2M12020WG 1200V 109A 20mΩ 3.0V Bare Die 工业级 量产
X2M12020CG 1200V 109A 20mΩ 3.0V TO-247-4 工业级 量产
X2M12020BG 1200V 109A 20mΩ 3.0V TO-247-3 工业级 量产
X3M12040WG 1200V 62A 40mΩ 3.0V Bare Die 工业级 量产
X3M12040CG 1200V 62A 40mΩ 3.0V TO-247-4 工业级 量产
X2M06523WG 650V 86A 23mΩ 2.9V Bare Die 工业级 量产
X2M06523CG 650V 86A 23mΩ 2.9V TO-247-4 工业级 量产
X2M06523BG 650V 86A 23mΩ 2.9V TO-247-3 工业级 量产
X3M12040BG 1200V 62A 40mΩ 3.0V TO-247-3 工业级 量产
X2M1K650WG 10000V 10A 650mΩ 2.5V Bare Die 工业级 量产
X2M650400WG 6500V 18A 400mΩ 3.0V Bare Die 工业级 开发中
X2M1701000BG 1700V 4.9A 1000mΩ 3.3V TO-247-3 工业级 量产
X2M1701000CG 1700V 4.9A 1000mΩ 3.3V TO-247-4 工业级 量产
X2M1701000GG 1700V 4.9A 1000mΩ 3.3V TO-263-7 工业级 量产
X2M1701000WG 1700V 4.9A 1000mΩ 3.3V Bare Die 工业级 量产
X1M17040CG 1700V 85A 40mΩ 2.6V TO-247-4 工业级 量产
X1M17040WG 1700V 85A 40mΩ 2.6V Bare Die 工业级 量产
X2M3301000CG 3300V 4A 1000mΩ 3.0V TO-247-4 工业级 量产
X2M3301000GG 3300V 4A 1000mΩ 3.0V TO-263-7 工业级 量产
X2M3301000WG 3300V 4A 1000mΩ 3.0V Bare Die 工业级 量产
X2M33070BG 3300V 45A 70mΩ 2.7V TO-247-3 工业级 量产
X2M33070CG 3300V 45A 70mΩ 2.7V TO-247-4 工业级 量产
X2M33070GG 3300V 45A 70mΩ 2.7V TO-263-7 工业级 量产
X2M33070WG 3300V 45A 70mΩ 2.7V Bare Die 工业级 量产
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