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碳化硅 (SiC) 二极管
碳化硅 (SiC) MOSFET
碳化硅 (SiC) 模块
碳化硅 (SiC) 抗辐照器件

碳化硅 (SiC) MOSFET

产品优势

碳化硅(SiC)MOSFET具有高压高温高频的特性、同时兼具低损耗高效率等优势，相比硅基器件，可以显著提高系统的功率密度和性能表现。

型号	漏源电压 V_DS 清空 1200V 1700V 3300V 6500V 10000V	漏极电流 I_DS 清空 2A 3.8A 4A 4.8A 4.9A 10A 20A 21A 41A 43A 50A 67A 80A 85A 89A 95A 97A 100A	导通内阻 R_{DS(on)(25℃)} 清空 25mΩ 30mΩ 40mΩ 70mΩ 80mΩ 400mΩ 1000mΩ 2000mΩ	阈值电压 V_GS(th) 清空 2.3V 2.6V 2.7V 3.0V 3.2V 3.4V 3.9V	封装清空 TO-247-3 TO-247-3L TO-247-4 TO-247-4L TO-263-7 TO-263(D2PARK) Bare Die	等级清空工业级车规级普军级宇航级	状态清空开发中样品量产不推荐新设计
X2M10002000WG	10000V	2A	2000mΩ	3.0V	Bare Die	工业级	开发中
X2M650400WG	6500V	10A	400mΩ	3.0V	Bare Die	工业级	开发中
X1M12080BG	1200V	41A	80mΩ	2.3V	TO-247-3	工业级	量产
X1M12080CG	1200V	41A	80mΩ	2.3V	TO-247-4	工业级	量产
X1M12080GG	1200V	43A	80mΩ	2.3V	TO-263-7	工业级	量产
X1M12080WG	1200V	41A	80mΩ	2.3V	Bare Die	工业级	量产
X1M12040CG	1200V	80A	40mΩ	3.0V	TO-247-4	工业级	开发中
X1M12040GG	1200V	80A	40mΩ	3.0V	TO-263-7	工业级	开发中
X1M12040WG	1200V	80A	40mΩ	3.0V	Bare Die	工业级	开发中
X2M12030CG	1200V	95A	30mΩ	3.9V	TO-247-4	工业级	量产
X2M12030GG	1200V	100A	30mΩ	3.9V	TO-263-7	工业级	量产
X2M12030WG	1200V	95A	30mΩ	3.9V	Bare Die	工业级	量产
X2M12025CG	1200V	95A	25mΩ	3.2V	TO-247-4	工业级	量产
X2M12025GG	1200V	97A	25mΩ	3.2V	TO-263-7	工业级	量产
X2M12025WG	1200V	95A	25mΩ	3.2V	Bare Die	工业级	量产
X1M1701000BG	1700V	4.8A	1000mΩ	2.7V	TO-247-3	工业级	量产
X1M1701000CG	1700V	4.8A	1000mΩ	2.7V	TO-247-4	工业级	量产
X1M1701000FG	1700V	4.9A	1000mΩ	2.7V	TO-263(D2PARK)	工业级	量产
X1M1701000GG	1700V	4.9A	1000mΩ	2.7V	TO-263-7	工业级	量产
X1M1701000WG	1700V	4.9A	1000mΩ	2.7V	Bare Die	工业级	量产
X1M17040CG	1700V	85A	40mΩ	2.6V	TO-247-4	工业级	量产
X1M17040GG	1700V	89A	40mΩ	2.6V	TO-263-7	工业级	量产
X1M17040WG	1700V	85A	40mΩ	2.6V	Bare Die	工业级	量产
X1M3301000CG	3300V	3.8A	1000mΩ	2.7V	TO-247-4	工业级	量产
X1M3301000GG	3300V	4A	1000mΩ	2.7V	TO-263-7	工业级	量产
X1M3301000WG	3300V	4A	1000mΩ	2.7V	Bare Die	工业级	量产
X2M33070BG	3300V	43A	70mΩ	3.4V	TO-247-3L	工业级	量产
X2M33070CG	3300V	43A	70mΩ	3.4V	TO-247-4L	工业级	量产
X2M33070GG	3300V	43A	70mΩ	3.4V	TO-263-7	工业级	量产
X2M33070WG	3300V	43A	70mΩ	3.0V	Bare Die	工业级	量产