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碳化硅 (SiC) 二极管
碳化硅 (SiC) MOSFET
碳化硅 (SiC) 模块
碳化硅 (SiC) 抗辐照器件

碳化硅 (SiC) 二极管

产品优势

碳化硅(SiC)二极管具有高耐压、低损耗及优异的高温稳定性，相比硅二极管，可以显著提升高压高频场景下系统的效率和可靠性。

型号	阻断电压 V_RRM 清空 650V 1200V 1700V 3300V	工作电流 I_F 清空 2.5A 4A 5A 8A 10A 15A 20A 30A 40A 45A 50A	正向压降 V_F(25℃) 清空 1.4V 1.45V 2.2V	正向压降 V_F(175℃) 清空 1.60V 2.00V 2.80V	封装清空 TO-220AC TO-247-2 TO-247-3 Bare Die 金封	等级清空工业级车规级普军级宇航级	状态清空开发中样品量产不推荐新设计
X2S17020AG	1700V	20A	1.45V	2.00V	Bare Die	工业级	量产
X1S17020DG	1700V	20A	1.45V	2.00V	TO-220AC	工业级	量产
X1S33005WG	3300V	5A	2.2V	2.80V	Bare Die	工业级	开发中
X2S06504DG	650V	4A	1.4V	1.60V	TO-220AC	工业级	量产
X2S06504WG	650V	4A	1.4V	1.60V	Bare Die	工业级	量产
X2S06508DG	650V	8A	1.4V	1.60V	TO-220AC	工业级	量产
X2S06508WG	650V	8A	1.4V	1.60V	Bare Die	工业级	量产
X2S06515AG	650V	15A	1.4V	1.60V	TO-247-2	工业级	量产
X2S06515WG	650V	15A	1.4V	1.60V	Bare Die	工业级	量产
X2S06520AG	650V	20A	1.4V	1.60V	TO-247-2	工业级	量产
X2S06520WG	650V	20A	1.4V	1.60V	Bare Die	工业级	量产
X2S06550AG	650V	50A	1.4V	1.60V	TO-247-2	工业级	量产
X2S06550WG	650V	50A	1.4V	1.60V	Bare Die	工业级	量产
X2S12010DG	1200V	10A	1.45V	2.00V	TO-220AC	工业级	量产
X2S12010WG	1200V	10A	1.45V	2.00V	Bare Die	工业级	量产
X2S12020AG	1200V	20A	1.45V	2.00V	TO-247-2	工业级	量产
X2S12020WG	1200V	20A	1.45V	2.00V	TO-247-3	工业级	量产
X2S12030AG	1200V	30A	1.45V	2.00V	TO-247-2	工业级	量产
X2S12030WG	1200V	30A	1.45V	2.00V	Bare Die	工业级	量产
X2S12040AG	1200V	40A	1.45V	2.00V	TO-247-2	工业级	量产
X2S12040WG	1200V	40A	1.45V	2.00V	Bare Die	工业级	量产
X2S12050AG	1200V	50A	1.45V	2.00V	TO-247-2	工业级	量产
X2S12050WG	1200V	50A	1.45V	2.00V	Bare Die	工业级	量产
X2S17010DG	1700V	10A	1.45V	2.00V	TO-220AC	工业级	量产
X2S17010WG	1700V	10A	1.45V	2.00V	Bare Die	工业级	量产
X2S17020WG	1700V	20A	1.45V	2.00V	Bare Die	工业级	量产
X2S17050AG	1700V	50A	1.45V	2.00V	TO-247-2	工业级	量产
X2S17050WG	1700V	50A	1.45V	2.00V	Bare Die	工业级	量产