<svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg>随着新能源并网、智能电网、高压直流保护、固态变压器和脉冲功率技术的快速发展，电力电子系统正向更高电压等级、更高开关频率、更高效率和更高功率密度方向演进。作为第三代半导体材料的代表，碳化硅（SiC）凭借高临界击穿电场、高热导率和优异的高温稳定性，正在成为高压功率电子装备升级的重要器件基础。
面向此需求，芯丰泽半导体正式推出
10 kV SiC MOSFET 裸芯片 X2M1K650WG
<svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg>
<svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg>X2M1K650WG具有超过10 kV的阻断电压以及650 mΩ以下的导通电阻，为高压功率系统带来了全新的、极简的核心解决方案。芯片关键参数如下
<svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg>该产品在6-inches晶圆实现量产，芯片良率不低于95%，一致性良好。现已正式接单，详询芯丰泽销售团队，联系方式见文末。
<svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float: left; line-height: 0; width: 0px; vertical-align: top; visibility: visible;" role="img" aria-label="插图"></svg>X2M1K650WG 的发布，将为多个高压领域的技术升级提供核心动力：
<svg viewbox="0 0 1 1" style="float:left;line-height:0;width:0;vertical-align:top;" role="img" aria-label="插图"></svg><svg viewbox="0 0 1 1" style="float:left;line-height:0;width:0;vertical-align:top;" role="img" aria-label="插图"></svg>X2M1K650WG 的推出，进一步完善了芯丰泽半导体在高压碳化硅功率器件方向的产品布局。未来，芯丰泽半导体将持续围绕高压 SiC 器件、先进封装和系统应用开展技术创新，为新一代高压电力电子装备提供高性能功率半导体解决方案。
关于我们|About us
芯丰泽半导体科技有限公司（简称: “XFZ SEMI”）是一支专注SiC功率器件技术开发和应用的高科技芯片公司，致力为客户提供高价值、差异化的解决方案，致力成为SiC半导体技术全面深入应用的推动者，为SiC半导体产业的发展注入新的动力。
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