样品申请
随着新能源并网、智能电网、高压直流保护、固态变压器和脉冲功率技术的快速发展,电力电子系统正向更高电压等级、更高开关频率、更高效率和更高功率密度方向演进。作为第三代半导体材料的代表,碳化硅(SiC)凭借高临界击穿电场、高热导率和优异的高温稳定性,正在成为高压功率电子装备升级的重要器件基础。
面向此需求,芯丰泽半导体正式推出
10 kV SiC MOSFET 裸芯片 X2M1K650WG



芯丰泽持续布局SiC功率器件
X2M1K650WG 的推出进一步丰富了芯丰泽半导体在高压碳化硅功率器件方向的产品布局。未来芯丰泽半导体将持续围绕高压 SiC 器件、先进封装和系统应用开展技术创新,为新一代高压电力电子装备提供高性能的功率半导体解决方案。
关于我们|About us
芯丰泽半导体科技有限公司(简称: “XFZ SEMI”)是一家专注于SiC功率器件技术开发和应用的半导体科技公司。公司坚持以客户需求为导向,为客户提供高价值、差异化的解决方案,致力成为SiC半导体技术全面深入应用的推动者,为SiC半导体产业的发展注入新的动力。
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