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作为亚太地区电力电子、宽禁带半导体、新能源功率领域极具权威性与影响力的行业盛会，本届 PCIM Asia 汇聚全球上下游头部企业、顶尖技术专家、终端采购及研发团队，集中展示第三代半导体、功率器件、储能、新能源电控、高频电源等前沿技术与创新解决方案。

西安芯丰泽半导体科技有限公司围绕“更高电压、更低损耗、更强可靠性”三条技术主线，携多款碳化硅功率器件及最新产品成果重磅亮相本次展会，与行业同仁共探宽禁带半导体产业发展新机遇。

01  PRODUCT  HIGHLIGHTS低温度系数SiC二极管

更优秀的高温导通压降｜更小的芯片尺寸｜部分指标可定制化调整

本次展出的 XFZG3 SiC SBD，代表型号为 X3S06508KG，DFN 5×6 贴片封装，在正向压降、反向漏电与热性能上完成协同优化。

●典型正向压降：25℃时1.31V，175℃仅升至1.38V，温度漂移表现优异；

●结到壳热阻 RthJC 为1.02℃/W，25℃最大耗散功率147W；

●400V反向偏压下，典型结电容20pF；

●对比上一代产品，芯片面积缩小约12%，有效降低系统导通与容性损耗，为设备高功率密度、小型化设计留出更大空间。

推荐应用：高频 PFC/LLC、工业电源、服务器与通信电源、紧凑型开关电源、户外高温场景。

02  PRODUCT  HIGHLIGHTS    XlentSiC™ MOSFET

自主知识产权・低电容设计｜高频应用支持・高可靠性

面向功率系统高频化、高功率密度的行业发展大势，芯丰泽凭借自主专利技术推出新一代XlentSiC™ MOSFET，围绕电容特性、栅极电荷、开关损耗、器件可靠性完成全方位迭代升级。

代表型号X3M12040CG，规格1200V/40mΩ，800V测试条件关键参数：

●典型输入电容Ciss：1330pF，反向传输电容Crss仅1.4pF；

●总栅极电荷Qg：47nC，栅漏电荷Qgd：2nC。

极低Crss与Qgd可有效抑制米勒效应，降低驱动损耗与开关损耗，提升桥式拓扑抗寄生导通能力；器件支持0V关断，简化栅极驱动方案；TO2474L Kelvin 源极封装，削弱共源电感对高速开关的负面影响。

内部测试验证：XFZG3系列拥有更优开关时间与开关能量；具备4μs单脉冲短路耐受能力、1.32J单脉冲雪崩能量，充分保障高频工况下系统可靠运行。

推荐应用：高频PFC、LLC谐振变换器、DAB双有源桥、光伏储能变换器、充电电源、服务器 / 通信电源。

03 FEATURED   PRODUCTS  10kV超高压SiC MOSFET正式量产

高压功率变换系统中，器件耐压等级提升，可减少串联器件数量，降低均压、驱动与保护电路设计复杂度。本次展会，芯丰泽正式对外展示已实现量产的10kV SiC MOSFET——X2M1K650WG。

核心器件参数：

●漏源耐压：10kV；

●典型导通电阻650mΩ（VGS=18V、ID=2A、25℃）；

●25℃连续漏极电流10A，脉冲漏极电流可达20A；

●工作结温范围：55℃ ~ 175℃；

●3kV偏压条件，典型输出电容Coss 22.5pF，反向传输电容Crss 2.4pF。

该产品为超高压系统快速开关、设备紧凑化设计提供全新器件选型。

持续深化科技合作

三天展会时光短暂而充实。从产品实物展示、深度技术交流，到客户需求对接、商务意向洽谈，芯丰泽团队以专业务实的态度接待每一位到访客户与行业伙伴，完成多场深度技术研讨，锁定多项合作意向，为后续市场拓展、产品技术迭代沉淀宝贵资源。

衷心感谢莅临16 馆 G23展位的各位朋友，感谢行业同仁给予的认可与支持。

展会落幕，合作不止，创新不止。

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